ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် SiC ပစ္စည်းများ လိုအပ်ချက် တိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏ အဓိကနယ်ပယ်တစ်ခု ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။ SiC တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမ......
ပိုပြီးဖတ်ပါချစ်ပ်ပြားထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် photolithography၊ etching၊ diffusion၊ thin film၊ ion implantation၊ chemical mechanical polishing၊ cleaning အစရှိသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် MOSFET တစ်ခုထုတ်လုပ်ရန် ဤလုပ်ငန်းစဉ်များကို အကြမ်းဖျင်းရှင်းပြထားပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါစဉ်ဆက်မပြတ်နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျယန္တရား သုတေသနပြုခြင်းဖြင့် 3C-SiC heteroepitaxial နည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို မြှင့်တင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါSpatial ALD၊ နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော အနုမြူအလွှာ အစစ်ခံခြင်း။ wafer သည် မတူညီသော ရာထူးများကြား ရွေ့လျားပြီး နေရာတစ်ခုစီတွင် မတူညီသော ရှေ့ပြေးနိမိတ်များနှင့် ထိတွေ့သည်။ အောက်ပါပုံသည် ရိုးရာ ALD နှင့် နေရာဒေသအလိုက် သီးခြားခွဲထားသော ALD အကြား နှိုင်းယှဉ်ချက်ဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါမကြာသေးမီက ဂျာမန်သုတေသနအင်စတီကျု Fraunhofer IISB သည် tantalum carbide coating technology ၏ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် အောင်မြင်မှုတစ်ခုကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး CVD အပ်နှံမှုဖြေရှင်းချက်ထက် ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော မှုတ်အလွှာကို တီထွင်ကာ စီးပွားဖြစ်ထုတ်လုပ်ခဲ့သည......
ပိုပြီးဖတ်ပါအရှိန်အဟုန်ဖြင့် နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်သည့်ခေတ်တွင် အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ အရေးကြီးသော ကိုယ်စားလှယ်အဖြစ် 3D ပုံနှိပ်စက်သည် သမားရိုးကျကုန်ထုတ်လုပ်မှု၏ မျက်နှာစာကို တဖြည်းဖြည်း ပြောင်းလဲလျက်ရှိသည်။ နည်းပညာများ၏ စဉ်ဆက်မပြတ် ရင့်ကျက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် 3D ပုံနှိပ်စ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ