တရုတ် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ် ထုတ်လုပ်သူ၊ တင်သွင်းသူ၊ စက်ရုံ

VeTek Semiconductor ၏ထူးခြားသောကာဗိုက်အလွှာများသည် SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်ရှိ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သောကာကွယ်မှုပေးစွမ်းပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ပေါင်းစပ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလိုအပ်သောပစ္စည်းများကို စီမံဆောင်ရွက်ပေးရန်အတွက်ဖြစ်သည်။ ရလဒ်မှာ ဂရပ်ဖိုက် အစိတ်အပိုင်း၏ သက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးခြင်း၊ တုံ့ပြန်မှု stoichiometry ကို ထိန်းသိမ်းခြင်း၊ epitaxy နှင့် crystal ကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများသို့ အညစ်အကြေးများ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို တားဆီးခြင်းဖြင့် အထွက်နှုန်းနှင့် အရည်အသွေးကို တိုးမြင့်စေပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ တန်တလမ်ကာဗိုက် (TaC) အပေါ်ယံလွှာများသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (2200°C အထိ) တွင် ပူပြင်းသော အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ ဆီလီကွန်အငွေ့များနှင့် သွန်းသောသတ္တုများမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ VeTek Semiconductor သည် သင့်စိတ်ကြိုက်လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် ဂရပ်ဖိုက်လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် တိုင်းတာခြင်းစွမ်းရည်များစွာပါရှိသည်၊ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ကျွမ်းကျင်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့သည် သင့်နှင့်သင့်သတ်မှတ်ထားသောလျှောက်လွှာအတွက် သင့်တော်သောဖြေရှင်းချက်ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေသော အခကြေးငွေပေးဆောင်သည့် coating သို့မဟုတ် ဝန်ဆောင်မှုအပြည့်ပေးနိုင်ပါသည်။ .

ဒြပ်ပေါင်း semiconductor crystals

VeTek Semiconductor သည် အစိတ်အပိုင်းအမျိုးမျိုးနှင့် သယ်ဆောင်သူများအတွက် အထူး TaC coatings ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ VeTek Semiconductor ၏စက်မှုလုပ်ငန်းဦးဆောင်သော coating လုပ်ငန်းစဉ်အားဖြင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာခံနိုင်ရည်မြင့်မားမှုကိုရရှိနိုင်သည်၊ သို့ဖြင့် crystal TaC/GaN) နှင့် EPl အလွှာများ၏ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အရေးပါသောဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများ၏သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။

အပူလျှပ်ကာများ

SiC၊ GaN နှင့် AlN သလင်းကျောက် ကြီးထွားမှု အစိတ်အပိုင်းများ ခံနိုင်ရည်ရှိအပူပေးသည့်ဒြပ်စင်များ၊ နော်ဇယ်များ၊ အကာအရံကွင်းများနှင့် ကြေးနန်းတပ်ဆင်ပစ္စည်းများ၊ GaN နှင့် SiC epitaxial CVD ဓာတ်ပေါင်းဖို အစိတ်အပိုင်းများ၊ ဂြိုလ်တုဗန်းများ၊ ရေချိုးခေါင်းများ၊ ဦးထုပ်များနှင့် ခြေနင်းများ၊ MOCVD အစိတ်အပိုင်းများ အပါအဝင် စက်မှုလုပ်ငန်းစုများ။

ရည်ရွယ်ချက်-

LED (Light Emitting Diode) Wafer Carrier

ALD(Semiconductor) လက်ခံကိရိယာ

EPI Receptor (SiC Epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်)

TaC coated Satellite Susceptor TaC Coating Susceptor&Ring TaC Coating အစိတ်အပိုင်းများ TaC Coating ဖြင့် Halfmoon အစိတ်အပိုင်းများ

SiC Coating နှင့် TaC Coating တို့ကို နှိုင်းယှဉ်ခြင်း-