SiC coated wafer carrier

Chip ထုတ်လုပ်မှုသည် wafers နှင့်ခွဲလို့မရပါ။ wafer ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ တစ်ခုသည်အလွှာ၏ပြင်ဆင်မှုဖြစ်ပြီးနောက်တစ်ခုသည် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် တိုက်ရိုက်ထည့်သွင်းနိုင်ပြီး၊ သို့မဟုတ် ပိုမိုအဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းမှတဆင့်၊epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်. 

Epitaxy သည် ကောင်းမွန်စွာ ပြုပြင်ပြီး (ဖြတ်ခြင်း၊ ကြိတ်ခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခြင်း စသည်) တွင် တစ်ခုတည်းသော crystal အလွှာအသစ်ကို ကြီးထွားစေရန်ဖြစ်သည်။ အသစ်ကြီးထွားလာသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာသည် အလွှာ၏ ပုံဆောင်ခဲအဆင့်အတိုင်း ချဲ့ထွင်လာသောကြောင့် ၎င်းကို epitaxial အလွှာဟုခေါ်သည်။ epitaxial အလွှာသည် အလွှာပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသောအခါ၊ တစ်ခုလုံးကို epitaxial wafer ဟုခေါ်သည်။ epitaxial နည်းပညာ၏နိဒါန်းသည် single substrate ၏ချို့ယွင်းချက်များစွာကိုလိမ္မာပါးနပ်စွာဖြေရှင်းပေးသည်။

epitaxial ကြီးထွားမှုမီးဖိုတွင်၊ အလွှာကိုကျပန်းမထားနိုင်ပါ၊ နှင့် awafer သယ်ဆောင်substrate ပေါ်တွင် epitaxial အစစ်ခံခြင်းကိုမလုပ်ဆောင်မီ wafer ကိုင်ဆောင်ထားသောအလွှာပေါ်တွင် substrate ကိုထားရန်လိုအပ်သည်။ ဤ wafer ကိုင်ဆောင်သူသည် SiC coated wafer carrier ဖြစ်သည်။

EPI ဓာတ်ပေါင်းဖို၏ အပိုင်းပိုင်း မြင်ကွင်း

အရည်အသွေးမြင့်သည်။SiC အပေါ်ယံပိုင်းCVD နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ SGL ဂရပ်ဖိုက်၏ မျက်နှာပြင်ကို အသုံးချသည်-

SiC အပေါ်ယံပိုင်း ၏အကူအညီဖြင့်, များစွာသောဂုဏ်သတ္တိများSiC coated wafer ကိုင်ဆောင်သူသိသာထင်ရှားစွာ တိုးတက်လာခဲ့သည်-

●  Antioxidant ဂုဏ်သတ္တိများ: SiC အပေါ်ယံပိုင်း သည် ဓာတ်တိုးမှုကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် oxidation မှ graphite matrix ကို ကာကွယ်နိုင်ပြီး ၎င်း၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးနိုင်သည်။

●  အပူချိန်မြင့်မားသော ခုခံမှု: SiC အပေါ်ယံပိုင်း ၏ အရည်ပျော်မှတ်သည် အလွန်မြင့်မားသည် (2700°C ခန့်)။ graphite matrix တွင် SiC coating ကို ပေါင်းထည့်ပြီးနောက်၊ ၎င်းသည် epitaxial growth furnace ဝန်းကျင်တွင် အသုံးချရန်အတွက် အကျိုးပြုသည့် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိနိုင်သည်။

●  တိုက်စားခံနိုင်ရည်ရှိသည်။: Graphite သည် အချို့သော အက်ဆစ် သို့မဟုတ် အယ်ကာလိုင်းပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ဓာတုသံချေးတက်နိုင်ခြေရှိပြီး SiC အပေါ်ယံပိုင်းသည် အက်ဆစ်နှင့် အယ်လ်ကာလီချေးများကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းကို epitaxial ကြီးထွားမှုမီးဖိုများတွင် အချိန်ကြာမြင့်စွာအသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

● ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။: SiC ပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော မာကျောမှုရှိသည်။ ဂရပ်ဖိုက်ကို SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီးနောက်၊ ၎င်းကို epitaxial ကြီးထွားမှု မီးဖိုတွင် အသုံးပြုသောအခါတွင် ၎င်းကို အလွယ်တကူ ပျက်စီးစေပြီး ပစ္စည်းဝတ်ဆင်မှုနှုန်းကို လျှော့ချပေးသည်။

VeTek Semiconductorသည် သုံးစွဲသူများအား စက်မှုလုပ်ငန်း ဦးဆောင်သော SiC coated wafer carrier ထုတ်ကုန်များကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းများနှင့် အဆင့်မြင့်ဆုံး လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ VeTek Semiconductor ၏ ခိုင်မာသော နည်းပညာအဖွဲ့သည် သုံးစွဲသူများအတွက် အသင့်တော်ဆုံး ထုတ်ကုန်များနှင့် အကောင်းဆုံး စနစ်ဖြေရှင်းချက်များအား အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေရန် အမြဲသန္နိဋ္ဌာန်ချထားပါသည်။

CVD SIC ရုပ်ရှင်၏ SEM ဒေတာ

VeTek SemiconductorSiC coated wafer carrier အရောင်းဆိုင်များ