Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier

VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံတွင် စိတ်ကြိုက် Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier တင်သွင်းသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အနှစ် 20 ကျော် အဆင့်မြင့် ပစ္စည်းများတွင် အထူးပြုထားပါသည်။ SiC အလွှာကိုသယ်ဆောင်ရန်အတွက် SiC epitaxy အလွှာကို သယ်ဆောင်ရန်အတွက် SiC epitaxy အလွှာကို ကြီးထွားစေသော Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier ကို ပေးဆောင်ထားပါသည်။ ဤ Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier သည် လဝက်အပိုင်း၏ အရေးကြီးသော SiC coated အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားမှု၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့ လာရောက်လည်ပတ်ရန် သင့်အား ကြိုဆိုပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ပရော်ဖက်ရှင်နယ်ထုတ်လုပ်သူအနေဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား အရည်အသွေးမြင့် Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier ကို ပေးဆောင်လိုပါသည်။

VeTek Semiconductor Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carriers များသည် SiC epitaxial chamber အတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းတို့တွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချပရိုဂရမ်များ ရှိပြီး အမျိုးမျိုးသော စက်ကိရိယာ မော်ဒယ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

လျှောက်လွှာ ဇာတ်လမ်း-

VeTek Semiconductor Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carriers များကို SiC epitaxial အလွှာများ ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင် အဓိကအသုံးပြုပါသည်။ အဆိုပါဆက်စပ်ပစ္စည်းများကို SiC epitaxy ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းတွင် ထားရှိထားပြီး ၎င်းတို့သည် SiC အလွှာများနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မှုဖြစ်သည်။ epitaxial အလွှာများအတွက် အရေးပါသော ကန့်သတ်ချက်များမှာ အထူနှင့် မူးယစ်ဆေးဝါး သုံးစွဲမှု တူညီမှုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖလင်အထူ၊ သယ်ဆောင်သူ၏အာရုံစူးစိုက်မှု၊ တူညီမှုနှင့် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုစသည့် အချက်အလက်များကို ကြည့်ရှုခြင်းဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့၏ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုကို အကဲဖြတ်ပါသည်။

အသုံးပြုမှု-

စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ပေါ် မူတည်၍ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် 6 လက်မခွဲ လခြမ်းပုံစံဖွဲ့စည်းမှုတွင် အနည်းဆုံး epitaxial အလွှာအထူ 5000 um ကို ရရှိနိုင်သည်။ ဤတန်ဖိုးသည် ကိုးကားချက်အဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး အမှန်တကယ်ရလဒ်များ ကွဲပြားနိုင်သည်။

လိုက်ဖက်သော စက်ပစ္စည်း မော်ဒယ်များ

VeTek Semiconductor ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများသည် LPE၊ NAURA၊ JSG၊ CETC၊ NASO TECH နှင့် အခြားကိရိယာများအပါအဝင် အမျိုးမျိုးသောစက်ပစ္စည်းမော်ဒယ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
ပစ္စည်းဥစ္စာ	ရိုးရိုးတန်ဖိုး
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC beta အဆင့် polycrystalline, အဓိကအားဖြင့် (111) oriented
သိပ်သည်းဆ	3.21 g/cm³
မာကျောခြင်း။	2500 Vickers မာကျောမှု (500 ဂရမ်ဝန်)
သီးနှံ SiZe	2~10μm
ဓာတုသန့်စင်မှု	99.99995%
Heat Capacity ၊	640 J·kg-1·K-1
Sublimation အပူချိန်	2700 ℃
Flexural Strength	415 MPa RT 4 ပွိုင့်
Young's Modulus	430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	300W·m-1·K-1
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE)	4.5×10-6K-1