Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon

VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon ၏ ထိပ်တန်းပေးသွင်းသူဖြစ်ပြီး နှစ်ပေါင်းများစွာ အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများကို အထူးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် အလွန်ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိစေမည့် SiC epitaxial ပစ္စည်းများအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ အလွန်သန့်စင်သော တင်သွင်းထားသော ဂရပ်ဖိုက်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသောကြောင့် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး တာရှည်ခံမှုကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ အရည်အသွေးမြင့် Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon ကိုယ်တွေ့ရှာဖွေရန် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့ သွားရောက်ကြည့်ရှုပါ။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

VeTek Semiconductor သည် Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon ကို ပံ့ပိုးပေးရန် ရည်ရွယ်ထားသော ပရော်ဖက်ရှင်နယ် ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် SiC epitaxial chambers အတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး အမျိုးမျိုးသော စက်ပစ္စည်းမော်ဒယ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပြီး သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ:

ချိတ်ဆက်မှု- VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် carrier base လည်ပတ်မှုကို မောင်းနှင်ရန် ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေရန် quartz ပြွန်များနှင့် ချိတ်ဆက်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။

အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု- ထုတ်ကုန်သည် တုံ့ပြန်မှုခန်းအတွင်း အကောင်းဆုံးအခြေအနေများကို အာမခံပေးသည့် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုကို ခွင့်ပြုသည်။

အဆက်အသွယ်မရှိသော ဒီဇိုင်း- တုံ့ပြန်မှုခန်းအတွင်းတွင် တပ်ဆင်ထားသည့် ကျွန်ုပ်တို့၏ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် လုပ်ငန်းစဉ်၏ ခိုင်မာမှုကို သေချာစေကာ wafer များကို တိုက်ရိုက်မဆက်သွယ်ပါ။

လျှောက်လွှာ ဇာတ်လမ်း-

ကျွန်ုပ်တို့၏ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် SiC epitaxial chambers တွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပေးပြီး ၎င်းသည် 5 ppm အောက်ရှိ အညစ်အကြေးပါဝင်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။ အထူနှင့် doping စူးစိုက်မှုတူညီမှုကဲ့သို့သော ကန့်သတ်ချက်များကို အနီးကပ်စောင့်ကြည့်ခြင်းဖြင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးအမြင့်ဆုံး epitaxial အလွှာများကိုသေချာစေသည်။

လိုက်ဖက်မှု-

VeTek Semiconductor ၏ Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon သည် LPE၊ NAURA၊ JSG၊ CETC၊ NASO TECH စသည်ဖြင့် စက်ပစ္စည်းမော်ဒယ်များစွာနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ အရည်အသွေးမြင့် Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon ကိုယ်တွေ့ကို လေ့လာရန် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံသို့ လာရောက်လည်ပတ်ရန် သင့်အား ဖိတ်ခေါ်အပ်ပါသည်။

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
ပစ္စည်းဥစ္စာ	ရိုးရိုးတန်ဖိုး
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC beta အဆင့် polycrystalline, အဓိကအားဖြင့် (111) oriented
သိပ်သည်းဆ	3.21 g/cm³
မာကျောခြင်း။	2500 Vickers မာကျောမှု (500 ဂရမ်ဝန်)
သီးနှံ SiZe	2~10μm
ဓာတုသန့်စင်မှု	99.99995%
အပူစွမ်းရည်	640 J·kg-1·K-1
Sublimation အပူချိန်	2700 ℃
Flexural Strength	415 MPa RT 4 ပွိုင့်
Young's Modulus	430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	300W·m-1·K-1
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE)	4.5×10-6K-1