Semiconductor အပူဖြန်းနည်းပညာ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အပူဖြန်းခြင်းနည်းပညာသည် အလွှာတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အလွှာတစ်ခု၏မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ သွန်းသော သို့မဟုတ် တစ်ပိုင်းသွန်းသောအခြေအနေတွင် အရာဝတ္ထုများကို ဖြန်းပေးသည့် အဆင့်မြင့်လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းပညာကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းနယ်ပယ်တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြပြီး လျှပ်ကူးနိုင်မှု၊ လျှပ်ကာ၊ ချေးခံနိုင်ရည်နှင့် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုတို့ကဲ့သို့သော အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သီးခြားလုပ်ဆောင်ချက်များဖြင့် အပေါ်ယံအလွှာများဖန်တီးရန် အဓိကအသုံးပြုသည်။ အပူဖြန်းခြင်းနည်းပညာ၏ အဓိကအားသာချက်များတွင် မြင့်မားသောထိရောက်မှု၊ ထိန်းချုပ်နိုင်သော အပေါ်ယံအထူနှင့် ကောင်းမွန်သော coating adhesion ပါ၀င်သောကြောင့် မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုလိုအပ်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများတွင် အပူဖြန်းခြင်းနည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်း။

Plasma beam etching (အခြောက်လှန်းခြင်း)

များသောအားဖြင့် ပလာစမာနှင့် အီလက်ထရွန်ကဲ့သို့သော အားသွင်းအမှုန်များပါရှိသော ပလာစမာ တက်ကြွသောအမှုန်များကို ထုတ်လုပ်ရန် တောက်ပသောအထွက်ကို အသုံးပြုခြင်းကို ရည်ညွှန်းပြီး ခြစ်ထုတ်ရမည့်အပိုင်းသို့ ပျံ့နှံ့သွားပြီး မတည်ငြိမ်သော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အက်တမ်များနှင့် မော်လီကျူးများ၊ ထုတ်ကုန်များကို ဖယ်ရှားလိုက်ခြင်းဖြင့် ပုံစံလွှဲပြောင်းခြင်းနည်းပညာကို ပြီးမြောက်စေသည်။ ၎င်းသည် အလွန်ကြီးမားသော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်မှုတွင် photolithography templates မှ wafers များအထိ တိကျသေချာသော မြင့်မားသောပုံစံများ လွှဲပြောင်းခြင်းကို နားလည်သဘောပေါက်ရန်အတွက် အစားထိုး၍မရသော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။

Cl နှင့် F ကဲ့သို့သော တက်ကြွသော free radicals အများအပြားကို ထုတ်ပေးလိမ့်မည်။ ၎င်းတို့သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို ထုလုပ်သောအခါ၊ ၎င်းတို့သည် အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်နှင့် ကြွေထည်ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများအပါအဝင် စက်ပစ္စည်းများ၏ အတွင်းမျက်နှာပြင်များကို ပျက်စီးစေသည်။ ဤပြင်းထန်သော တိုက်စားမှုသည် ထုတ်လုပ်မှု စက်ကိရိယာများကို မကြာခဏ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရန် လိုအပ်ရုံသာမက အမှုန်အမွှားများစွာကို ထုတ်ပေးသည်သာမက ထွင်းထုခြင်း လုပ်ငန်းစဉ် အခန်းတွင်း ချို့ယွင်းမှုနှင့် ပြင်းထန်သော အခြေအနေများတွင် စက်ပစ္စည်းကို ပျက်စီးစေသည်။

Y2O3 သည် အလွန်တည်ငြိမ်သော ဓာတုနှင့် အပူဂုဏ်သတ္တိရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အရည်ပျော်မှတ်သည် 2400 ဒီဂရီအထက်ရှိသည်။ ပြင်းထန်သော အဆိပ်သင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် တည်ငြိမ်နေနိုင်သည်။ ၎င်း၏ပလာစမာဗုံးကြဲခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြင့်စေပြီး etching chamber အတွင်းရှိ အမှုန်များကို လျှော့ချနိုင်သည်။

ပင်မရေစီးကြောင်းဖြေရှင်းချက်မှာ etching chamber နှင့် အခြားသောသော့အစိတ်အပိုင်းများကိုကာကွယ်ရန် သန့်စင်မြင့် Y2O3 coating ကိုဖြန်းခြင်းဖြစ်သည်။