- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
သတင်း
ဆီလီကွန်(Si) epitaxy ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အမျိုးမျိုး၏ ကြီးထွားလာနေသော ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်းများ တစ်ခုတည်းအတွက်သာ လိုအပ်ချက်များကို မဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါ။ 1959 ခုနှစ်၏အဆုံးတွင်၊ တစ်ခုတည်းသော crystal material ကြီးထွားမှုနည်းပညာ - epitaxial ကြီးထွားမှုပါးလွှာသောအလွှာကိုတီထွင်ခဲ့သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု မီးဖိုနည်းပညာကို အခြေခံထားသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အပူချိန်မြင့်သော၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ ပါဝါနှင့် ဗို့အားမြင့်စက်ပစ္စည်းများကို ပြုလုပ်ရန်အတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရန်အတွက် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ ပြင်ဆင်မှုသည် အရေးကြီးသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ဦးတည်ချက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
တရုတ်ကုမ္ပဏီများသည် Broadcom နှင့် 5nm ချစ်ပ်များကို တီထွင်နေကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။
နိုင်ငံရပ်ခြားသတင်းများအရ ByteDance သည် တရုတ်နိုင်ငံကြားတင်းမာမှုများကြားတွင် တင်းမာမှုများကြားတွင် မြင့်မားသောချစ်ပ်များကို လုံလောက်စွာထောက်ပံ့ပေးနိုင်စေမည့် အဆင့်မြင့်ဥာဏ်ရည်တု (AI) ကွန်ပျူတာပရိုဆက်ဆာကို တီထွင်ရန်အတွက် ByteDance နှင့် အမေရိကန်ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းကုမ္ပဏီ Broadcom နှင့် ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.- ၈ လက်မအရွယ် SiC ချစ်ပ်များကို ဒီဇင်ဘာလတွင် စတင်ထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။
SiC စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူတစ်ဦးအနေဖြင့် Sanan Optoelectronics ၏ဆက်စပ်ဒိုင်းနမစ်များသည် လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အာရုံစိုက်ခံရသည်။ မကြာသေးမီက Sanan Optoelectronics သည် 8 လက်မအရွယ်အသွင်ပြောင်းခြင်း၊ အလွှာစက်ရုံအသစ်ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ကုမ္ပဏီအသစ်တည်ထောင်ခြင်း၊ အစိုးရထောက်ပံ့ကြေးမျ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Single Crystal Furnaces တွင် TaC-Coated Graphite အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုခြင်း။
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT) နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည့် SiC နှင့် AlN တစ်ခုတည်းသော crystal များ ကြီးထွားမှုတွင်၊ crucible၊ အစေ့ကိုင်ဆောင်ထားသူနှင့် လမ်းညွှန်လက်စွပ်ကဲ့သို့သော အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများသည် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ပုံ 2 [1] တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC epitaxial ကြီးထွားမှုမီးဖို၏ကွဲပြားခြားနားသောနည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာလမ်းကြောင်းများ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများတွင် ချွတ်ယွင်းချက်များစွာရှိပြီး တိုက်ရိုက်လုပ်ဆောင်၍မရပါ။ ချပ်စ်ဝေဖာများပြုလုပ်ရန် လျှပ်တစ်ပြက်အလွှာတစ်ခုမှ တိကျသော တစ်ခုတည်းသော ပါးလွှာသောဖလင်တစ်ချပ်ကို ၎င်းတို့ပေါ်တွင် ကြီးထွားစေရန်လိုအပ်ပါသည်။ ဤပါးလွှာသောရုပ်ရှင်သည် epitaxial အလွှာဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် စက်ပစ္စည်းအားလ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
