ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်သည့်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင်၊ စက်အရွယ်အစားဆက်လက်ကျုံ့လာသောကြောင့်၊ ပါးလွှာသောဖလင်ပစ္စည်းများ၏အစစ်ခံနည်းပညာသည် မကြုံစဖူးစိန်ခေါ်မှုများကိုဖြစ်လာစေသည်။ Atomic Layer Deposition (ALD) သည် အက်တမ်အဆင့်တွင် တိကျသော ထိန်းချုပ်မှုကို ရရှိနိုင်သော ပါးလွှာသော ဖလင်များ စုဆောင်းခြင်းနည်းပညာအဖြစ်၊......
ပိုပြီးဖတ်ပါပြီးပြည့်စုံသော ပုံဆောင်ခဲအခြေခံအလွှာပေါ်တွင် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ သို့မဟုတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို တည်ဆောက်ရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် epitaxy (epi) လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 0.5 မှ 20 microns ခန့်ရှိသော ကောင်းသောတစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ......
ပိုပြီးဖတ်ပါepitaxy နှင့် atomic layer deposition (ALD) အကြား အဓိက ကွာခြားချက်မှာ ၎င်းတို့၏ ဖလင်ကြီးထွားမှု ယန္တရားများနှင့် လည်ပတ်မှု အခြေအနေများတွင် ရှိသည်။ Epitaxy သည် ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်ရှိ ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်ရှိ ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်ရှိ ပုံဆောင်ခဲအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် တူညီသော သို့မဟုတ် အလားတူသောပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါCVD TAC coating သည် အောက်စထရိတ် (graphite) ပေါ်တွင် သိပ်သည်းပြီး တာရှည်ခံသော အလွှာတစ်ခု ဖွဲ့စည်းရန်အတွက် လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းတွင် TaC ကို မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ အပ်နှံခြင်းဖြင့် တန်တလမ်ကာဘိုက် (TaC) အပေါ်ယံပိုင်း၌ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် ဓာတုဒဏ်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ8 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) လုပ်ငန်းစဉ် ရင့်ကျက်လာသည်နှင့်အမျှ ထုတ်လုပ်သူများသည် 6 လက်မမှ 8 လက်မအထိ ပြောင်းလဲမှုကို အရှိန်မြှင့်လျက်ရှိသည်။ မကြာသေးမီက ON Semiconductor နှင့် Resonac တို့သည် 8-လက်မ SiC ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ အဆင့်မြှင့်တင်မှုများကို ကြေညာခဲ့သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ