> သတင်း

သတင်း

Taiko လုပ်ငန်းစဉ်သည် မည်မျှပါးလွှာသော ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို ပြုလုပ်နိုင်သနည်း။

Taiko လုပ်ငန်းစဉ်သည် ၎င်း၏ အခြေခံမူများ၊ နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ဇစ်မြစ်များကို အသုံးပြု၍ ဆီလီကွန်ဝေဖာများကို ပါးလွှာစေသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

၈ လက်မ SiC epitaxial မီးဖိုနှင့် homoepitaxial လုပ်ငန်းစဉ် သုတေသန

ပိုပြီးဖတ်ပါ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာ wafer- ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN တို့၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ

ဆောင်းပါးသည် ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော ဆီလီကွန်၊ GaAs၊ SiC နှင့် GaN ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာထားသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

GaN အခြေခံ အပူချိန်နိမ့် epitaxy နည်းပညာ

ဤဆောင်းပါးတွင် GaN-based ပစ္စည်းများ၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံအပါအဝင် GaN-based အပူချိန်နိမ့် epitaxial နည်းပညာ၊ 3. epitaxial နည်းပညာလိုအပ်ချက်များနှင့် အကောင်အထည်ဖော်မှုဖြေရှင်းချက်များ၊ PVD စည်းမျဉ်းများကိုအခြေခံ၍ အပူချိန်နိမ့် epitaxial နည်းပညာ၏ အားသာချက်များနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအလားအလာများ၊ အပူ......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

CVD TaC နှင့် sintered TaC အကြားကွာခြားချက်ကဘာလဲ။

ဤဆောင်းပါးသည် TaC ၏ မော်လီကျူးဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ဦးစွာမိတ်ဆက်ပေးပြီး sintered tantalum carbide နှင့် CVD tantalum carbide နှင့် VeTek Semiconductor ၏ နာမည်ကြီး TaC coating ထုတ်ကုန်များ၏ ကွဲပြားမှုနှင့် အသုံးပြုပုံများကို အလေးပေးဖော်ပြပါသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

CVD TaC coating ကို ဘယ်လိုပြင်ဆင်မလဲ။

ဤဆောင်းပါးသည် CVD TaC အပေါ်ယံပိုင်း၏ ထုတ်ကုန်ဝိသေသလက္ခဏာများ၊ CVD နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ CVD TaC အပေါ်ယံပိုင်းပြင်ဆင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ပြင်ဆင်ထားသည့် CVD TaC အပေါ်ယံပိုင်း၏ မျက်နှာပြင်ရုပ်ပုံသဏ္ဍာန်ကို သိရှိခြင်းအတွက် အခြေခံနည်းလမ်းကို မိတ်ဆက်ပေးပါသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

<...3 4 5 6 7...10 >