CVD TaC နှင့် sintered TaC အကြားကွာခြားချက်ကဘာလဲ။

1. တန်တလမ် ကာဗိုက် ဆိုတာ ဘာလဲ ။

တန်တလမ် ကာဗိုက် (TaC) သည် ပရိုဂရမ် ဖော်မြူလာ TaCX ဖြင့် တန်တလမ် နှင့် ကာဗွန် ပေါင်းစပ်ထားသော ဒြပ်ပေါင်းဖြစ်ပြီး X သည် အများအားဖြင့် 0.4 မှ 1 အတွင်း ကွဲပြားပါသည်။ ၎င်းတို့သည် အလွန်မာကျောပြီး ကြွပ်ဆတ်သော သတ္တုလျှပ်ကူးနိုင်သော သတ္တုဓာတ် ရုန်းမထွက်နိုင်သော ကြွေထည်ပစ္စည်းများ ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် အညိုရောင်-မီးခိုးရောင် အမှုန့်များဖြစ်ပြီး အများအားဖြင့် ဆူအောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ အရေးကြီးသော သတ္တုကြွေထည်ပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့် တန်တလမ်ကာဗိုက်ကို ဖြတ်တောက်ကိရိယာများအတွက် စီးပွားဖြစ်အသုံးပြုကြပြီး တစ်ခါတစ်ရံတွင် တန်စတင်ကာဗိုက်သတ္တုစပ်များထဲသို့ ထည့်ကြသည်။

ပုံ 1. Tantalum Carbide ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ

Tantalum carbide ကြွေထည်သည် တန်တလမ်ကာဘိုက်၏ ပုံဆောင်ခဲအဆင့် ခုနစ်ဆင့်ပါရှိသော ကြွေထည်ဖြစ်သည်။ ဓာတုဗေဒဖော်မြူလာမှာ မျက်နှာကို ဗဟိုပြုထားသည့် ကုဗလက်ကွက် TaC ဖြစ်သည်။

ပုံ ၂။Tantalum carbide - ဝီကီပီးဒီးယား

သီအိုရီအရသိပ်သည်းဆမှာ 1.44၊ အရည်ပျော်မှတ်မှာ 3730-3830 ℃၊ အပူချဲ့ကိန်းက 8.3×10-6၊ elastic modulus သည် 291Gpa၊ အပူစီးကူးမှုသည် 0.22J/cm·S·C ဖြစ်ပြီး တန်တလမ်ကာဗိုက်၏ အထွတ်အထိပ် အရည်ပျော်မှတ်သည် ပတ်လည်ရှိသည်။ 3880 ℃၊ သန့်စင်မှုနှင့်တိုင်းတာမှုအခြေအနေများပေါ် မူတည်. ဤတန်ဖိုးသည် ဒွိဒြပ်ပေါင်းများကြားတွင် အမြင့်ဆုံးဖြစ်သည်။

ပုံ ၃။TaBr5&ndash တွင် Tantalum Carbide ၏ ဓာတုအငွေ့ထွက်ခြင်း။

2. တန်တလမ်ကာဗိုက်သည် မည်မျှပြင်းထန်သနည်း။

နမူနာစီးရီးတစ်ခု၏ Vickers မာကျောမှု၊ ကျိုးကြေလွယ်မှုနှင့် နှိုင်းရသိပ်သည်းဆတို့ကို စမ်းသပ်ခြင်းဖြင့် TaC သည် 5.5Gpa နှင့် 1300 ℃တွင် အကောင်းဆုံးစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိရှိကြောင်း ဆုံးဖြတ်နိုင်သည်။ နှိုင်းရသိပ်သည်းဆ၊ ကျိုးကြေလွယ်မှုနှင့် TaC ၏ Vickers မာကျောမှုသည် 97.7%, 7.4MPam1/2 နှင့် 21.0Gpa အသီးသီးဖြစ်သည်။

တန်တလမ်ကာဗိုက်ကို တန်တလမ်ကာဘိုင် ကြွေထည်ပစ္စည်းဟုလည်းခေါ်သည်၊tantalum carbide ၏ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများပါဝင်သည်။CVDနည်းလမ်း၊ sintering နည်းလမ်းစသည်တို့၊ လက်ရှိတွင် CVD နည်းလမ်းကို သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားသော semiconductors များတွင် ပို၍အသုံးများသည်။

3. sintered တန်တလမ်ကာဘိုင်နှင့် CVD တန်တလမ်ကာဘိုက်အကြား နှိုင်းယှဉ်ချက်

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏လုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာတွင်၊ sintered tantalum carbide နှင့် chemical vapor deposition (CVD) tantalum carbide သည် tantalum carbide ကိုပြင်ဆင်ခြင်းအတွက် ဘုံနည်းလမ်းနှစ်ခုဖြစ်ပြီး ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်၊ microstructure၊ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသုံးချမှုတွင် သိသာထင်ရှားသောကွာခြားချက်များရှိသည်။

3.1 ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်

Sintered တန်တလမ်ကာဘိုင်- တန်တလမ်ကာဗိုက်အမှုန့်ကို ပုံသဏ္ဍာန်တစ်ခုအဖြစ်ဖန်တီးရန် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဖိအားမြင့်မားမှုအောက်တွင် သန့်စင်ထားသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အမှုန့်သိပ်သည်းဆ၊ စပါးကြီးထွားမှုနှင့် အညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

CVD တန်တလမ်ကာဘိုင်- တန်တလမ်ကာဗိုက်ဓာတ်ငွေ့ရှေ့ပြေးကို အပူပေးအလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် တုံ့ပြန်ရန်အသုံးပြုပြီး တန်တလမ်ကာဘိုင်ဖလင်ကို အလွှာအလိုက် စုဆောင်းထားသည်။ CVD လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကောင်းမွန်သော ဖလင်အထူထိန်းနိုင်စွမ်းနှင့် ဖွဲ့စည်းမှု တူညီမှုရှိသည်။

3.2 အသေးစားတည်ဆောက်မှု

Sintered တန်တလမ်ကာဘိုင်- ယေဘုယျအားဖြင့် ၎င်းသည် စပါးစေ့အရွယ်အစားနှင့် ချွေးပေါက်ကျယ်သော polycrystalline တည်ဆောက်ပုံဖြစ်သည်။ ၎င်း၏သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် sintering အပူချိန်၊ ဖိအားနှင့်အမှုန့်သွင်ပြင်လက္ခဏာများကဲ့သို့သောအချက်များကြောင့်သက်ရောက်မှုရှိသည်။

CVD တန်တလမ်ကာဘိုင်- ၎င်းသည် အများအားဖြင့် သေးငယ်သော စပါးအရွယ်အစားရှိသော သိပ်သည်းသော polycrystalline ဖလင်ဖြစ်ပြီး မြင့်မားသော ကြီးထွားမှုကို ရရှိနိုင်သည်။ ဖလင်၏ သေးငယ်သောဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် သိုလှောင်မှုအပူချိန်၊ ဓာတ်ငွေ့ဖိအားနှင့် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်ပါဝင်မှုစသည့် အချက်များကြောင့် ထိခိုက်ပါသည်။

3.3 စွမ်းဆောင်ရည် ကွာခြားချက်များ

ပုံ 4. Sintered TaC နှင့် CVD TaC အကြား စွမ်းဆောင်ရည် ကွာခြားချက်များ

3.4 အသုံးချမှုများ

Sintered တန်တလမ်ကာဗိုက်: ၎င်း၏ မြင့်မားသော ကြံ့ခိုင်မှု၊ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားမှုတို့ကြောင့်၊ ၎င်းကို ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာများ၊ ဝတ်ဆင်ခံနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများ၊ အပူချိန်မြင့်မားသော ဖွဲ့စည်းပုံပစ္စည်းများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ သန့်စင်ထားသော တန်တလမ်ကာဗိုက်ကို စီမံဆောင်ရွက်မှုထိရောက်မှုနှင့် မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် တူးဖော်ခြင်းများနှင့် ကြိတ်ခွဲခြင်းကဲ့သို့သော ဖြတ်တောက်ကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။

CVD တန်တလမ်ကာဗိုက်: ၎င်း၏ပါးလွှာသောဖလင်ဂုဏ်သတ္တိများ၊ ကောင်းမွန်သော ကပ်တွယ်မှုနှင့် တူညီမှုကြောင့်၊ ၎င်းအား အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ အပေါ်ယံပစ္စည်းများ၊ ဓာတ်ကူပစ္စည်းနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ CVD tantalum carbide ကို ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းများ၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသော coatings များနှင့် ဓာတ်ကူပစ္စည်းသယ်ဆောင်သူများအတွက် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- -------------------------------------------------- ------------------------------

tantalum carbide coating ထုတ်လုပ်သူ၊ ပေးသွင်းသူနှင့် စက်ရုံအနေဖြင့် VeTek Semiconductor သည် semiconductor လုပ်ငန်းအတွက် tantalum carbide coating ပစ္စည်းများကို ဦးဆောင်ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။

Our main products include CVD တန်တလမ်ကာဗိုက် ဖုံးအုပ်ထားသော အစိတ်အပိုင်းများSiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှု သို့မဟုတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် sintered TaC coated အစိတ်အပိုင်းများ။ ကျွန်ုပ်တို့၏အဓိကထုတ်ကုန်များမှာ Tantalum Carbide Coated Guide Rings၊ TaC Coated Guide Rings၊ TaC Coated Half Moon Parts၊ Tantalum Carbide Coated Planetary Rotating Disks (Aixtron G10)၊ TaC Coated Crucibles၊ TaC coated Rings; TaC coated Porous Graphite; တန်တလမ်ကာဘိုင်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော Graphite Susceptorsများ၊ TaC အုပ်ထားသော လမ်းညွှန်ကွင်းများ၊ TaC တန်တလမ် ကာဗိုက်အကာပြားများ၊ TaC Coated Wafer Susceptors များ၊ TaC Coated Graphite Caps များ၊ ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် 5ppm ထက်နည်းသော သန့်စင်မှုရှိသော TaC Coated Blocks စသည်တို့။

ပုံ 5. VeTek Semiconductor ၏ အရောင်းရဆုံး TaC Coating ထုတ်ကုန်များ

VeTek Semiconductor သည် စဉ်ဆက်မပြတ် သုတေသနနှင့် ထပ်ကာထပ်ကာ နည်းပညာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဖြင့် Tantalum Carbide Coating လုပ်ငန်းတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်သူ ဖြစ်လာရန် ကတိပြုပါသည်။ 

သင်သည် TaC ထုတ်ကုန်များကို စိတ်ဝင်စားပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ တိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်ရန် အခမဲ့ခံစားရပါသည်။.

Mob: +86-180 6922 0752

WhatsAPP: +86 180 6922 0752

အီးမေးလ်- anny@veteksemi.com