3C-SiC သည် SiC polymorph အများအပြားတွင် အဘယ်ကြောင့် ထင်ရှားသနည်း။ - VeTek Semiconductor

၏နောက်ခံSiC

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)အရေးကြီးသောအဆင့်မြင့်တိကျသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ကောင်းမွန်သော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ ဝတ်ဆင်မှု ခုခံနိုင်မှု၊ အပူချိန်မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် အခြားဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့်၊ ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ နျူကလီးယားစွမ်းအင်၊ နိုင်ငံတော်ကာကွယ်ရေးနှင့် အာကာသနည်းပညာကဲ့သို့သော နည်းပညာမြင့်နယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။

အခုထိ ၂၀၀ ကျော်သွားပြီSiC ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံများအတည်ပြုထားပြီး၊ အဓိကအမျိုးအစားများမှာ ဆဋ္ဌဂံပုံ (2H-SiC၊ 4H-SiC၊ 6H-SiC) နှင့် ကုဗ 3C-SiC ဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့အထဲတွင် 3C-SiC ၏ equiaxed structural characteristic များသည် α-SiC ထက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော သဘာဝအတိုင်း အလုံးလိုက်နှင့် သိပ်သည်းသော stacking လက္ခဏာများ ရှိကြောင်း ဆုံးဖြတ်သောကြောင့် ၎င်းသည် တိကျစွာကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်မှုရှိပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ အကြောင်းအမျိုးမျိုးကြောင့် ကြီးမားသောစက်မှုလုပ်ငန်းသုံးပစ္စည်းများကိုရရှိရန် 3C-SiC ပစ္စည်းများအသစ်၏ ကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပျက်ကွက်သွားစေခဲ့သည်။

SiC polytype အများအပြားတွင် 3C-SiC သည် β-SiC ဟုလည်းလူသိများသော တစ်ခုတည်းသောကုဗ polytype ဖြစ်သည်။ ဤပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံတွင် Si နှင့် C အက်တမ်များသည် ရာဇမတ်ကွက်အတွင်း၌ တည်ရှိပြီး အက်တမ်တစ်ခုစီတွင် ကွဲလွဲနေသောအက်တမ်လေးခုဖြင့် ဝန်းရံထားပြီး ခိုင်မာသော covalent နှောင်ကြိုးများဖြင့် tetrahedral ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံယူနစ်ကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။ 3C-SiC ၏ဖွဲ့စည်းပုံအင်္ဂါရပ်မှာ Si-C ဒိုင်ယာတိုမစ်အလွှာများကို ABC-ABC-… ၏အစီအစဥ်အတိုင်း ထပ်ခါတလဲလဲစီစဉ်ထားပြီး ယူနစ်ဆဲလ်တစ်ခုစီတွင် C3 ကိုယ်စားပြုမှုဟုခေါ်သော ထိုကဲ့သို့သောဒိုင်ယာတိုမစ်အလွှာသုံးခုပါရှိသည်။ 3C-SiC ၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို အောက်ပါပုံတွင် ပြထားသည်။

လက်ရှိတွင် ဆီလီကွန် (Si) သည် ပါဝါစက်များအတွက် အသုံးအများဆုံး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သို့သော် Si ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့်၊ ဆီလီကွန်အခြေခံပါဝါကိရိယာများသည်အကန့်အသတ်ရှိသည်။ 4H-SiC နှင့် 6H-SiC တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 3C-SiC သည် အခန်းအပူချိန် သီအိုရီအရ အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု အမြင့်ဆုံးဖြစ်သည် (1000 cm·V^စာ-၁· ၎^စာ-၁) နှင့် MOS စက်ပစ္စည်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် ပိုမိုအားသာချက်များရှိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ 3C-SiC သည် မြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အား၊ ကောင်းသောအပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျယ်ပြန့်သော ကြိုးဝိုင်းကွာဟမှု၊ မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်စသည့် ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ၎င်းသည် အလွန်အမင်းအခြေအနေများအောက်တွင် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics၊ အာရုံခံကိရိယာများနှင့် အက်ပ်ပလီကေးရှင်းများတွင် ကြီးမားသောအလားအလာရှိပြီး ဆက်စပ်နည်းပညာများ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး နယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပလီကေးရှင်းအလားအလာများကို ပြသသည်-

ပထမအချက်- အထူးသဖြင့် ဗို့အားမြင့်ခြင်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်ခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင်၊ 3C-SiC ၏ မြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အားနှင့် မြင့်မားသော အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားနိုင်မှုသည် MOSFET ကဲ့သို့သော ပါဝါကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် စံပြရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ 

ဒုတိယ- နာနိုအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်စက်စနစ် (MEMS) တွင် 3C-SiC ကို အသုံးချခြင်းသည် နာနိုအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် နာနိုအီလက်ထရွန်းနစ်စက်ကိရိယာများကဲ့သို့သော နာနိုစကေးဖွဲ့စည်းပုံများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေသည့် ဆီလီကွန်နည်းပညာနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုမှ အကျိုးကျေးဇူးများ ရရှိစေသည်။ 

တတိယ- ကျယ်ပြန့်သော bandgap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ်၊ 3C-SiC သည် အပြာရောင်အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ဒိုင်အိုဒက်များ (LED) များထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။ အလင်းရောင်၊ မျက်နှာပြင်နည်းပညာနှင့် လေဆာများတွင် ၎င်း၏ အသုံးချမှုသည် ၎င်း၏ မြင့်မားသော တောက်ပသော ထိရောက်မှုနှင့် လွယ်ကူသော တားမြစ်ဆေးများကြောင့် အာရုံစိုက်မှုကို ဆွဲဆောင်ခဲ့သည်။ စတုတ္ထ- တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ 3C-SiC ကို တည်နေရာ-အထိခိုက်မခံသော ထောက်လှမ်းကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်၊ အထူးသဖြင့် ဘက်လိုက်ဓာတ်ပုံဗိုလ်တာတစ်အကျိုးသက်ရောက်မှုအပေါ် အခြေခံ၍ လေဆာအမှတ်အနေအထား-အထိခိုက်မခံသည့် ထောက်လှမ်းကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်၊ မြင့်မားသော ဘက်လိုက်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် အာရုံခံနိုင်စွမ်းမရှိသည့်အပြင် တိကျသောနေရာချထားမှုအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

3C SiC heteroepitaxy ၏ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်း

3C-SiC heteroepitaxial ၏ အဓိက ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများတွင် ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုပုံခြင်း (CVD)၊ sublimation epitaxy (SE)၊ liquid phase epitaxy (LPE)၊ molecular beam epitaxy (MBE)၊ magnetron sputtering စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ CVD သည် 3C-အတွက် ဦးစားပေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ SiC epitaxy သည် ၎င်း၏ထိန်းချုပ်နိုင်မှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုတို့ကြောင့် (ဥပမာ- အပူချိန်၊ ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှု၊ အခန်းဖိအားနှင့် တုံ့ပြန်မှုအချိန်ကဲ့သို့သော epitaxial အလွှာ၏အရည်အသွေးကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်နိုင်သည့်)။

Chemical vapor deposition (CVD)- Si နှင့် C ဒြပ်စင်များပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းဓာတ်ငွေ့ကို တုံ့ပြန်မှုခန်းထဲသို့ ဖြတ်သွားကာ မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အပူပေးပြီး ပြိုကွဲသွားကာ Si အက်တမ်နှင့် C အက်တမ်များကို Si substrate သို့မဟုတ် 6H-SiC၊ 15R- SiC၊ 4H-SiC အလွှာ။ ဤတုံ့ပြန်မှု၏အပူချိန်သည်ပုံမှန်အားဖြင့် 1300-1500 ဒီဂရီကြားရှိသည်။ အသုံးများသော Si အရင်းအမြစ်များမှာ SiH4၊ TCS၊ MTS စသည်တို့ဖြစ်ပြီး C အရင်းအမြစ်များကို အဓိကအားဖြင့် C2H4၊ C3H8 စသည်တို့ဖြစ်ပြီး H2 ကို သယ်ဆောင်သည့်ဓာတ်ငွေ့အဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ 

ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါအဆင့်များ ပါဝင်သည်- 

1. ဓာတ်ငွေ့အဆင့် တုံ့ပြန်မှုအရင်းအမြစ်ကို အစစ်ခံဇုန်ဆီသို့ ပင်မဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုတွင် ပို့ဆောင်သည်။ 

2. ပါးလွှာသော ဖလင်ရှေ့ပြေးအရာများနှင့် ထုတ်ကုန်များကို ထုတ်လုပ်ရန် နယ်နိမိတ်အလွှာတွင် ဓာတ်ငွေ့အဆင့်တုံ့ပြန်မှု ဖြစ်ပေါ်သည်။ 

3. ရှေ့ပြေးနိမိတ်၏ မိုးရွာခြင်း၊ စုပ်ယူခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်။ 

4. စုပ်ယူထားသော အက်တမ်များသည် ရွှေ့ပြောင်းပြီး အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပြန်လည်တည်ဆောက်သည်။ 

5. စုပ်ယူထားသော အက်တမ်များသည် နျူကလိယ ရှိပြီး အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ကြီးထွားသည်။ 

6. ပင်မဓာတ်ငွေ့ စီးဆင်းမှုဇုန်သို့ တုံ့ပြန်ပြီးနောက် စွန့်ပစ်ဓာတ်ငွေ့များ၏ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ပို့ဆောင်မှုကို တုံ့ပြန်မှုအခန်းမှ ထုတ်ယူသည်။ 

စဉ်ဆက်မပြတ်နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့် အတွင်းကျကျယန္တရား သုတေသနပြုခြင်းဖြင့် 3C-SiC heteroepitaxial နည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို မြှင့်တင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အရည်အသွေးမြင့် အထူဖလင် 3C-SiC ၏ လျင်မြန်စွာ ကြီးထွားမှုသည် ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် သော့ချက်ဖြစ်သည်။ ကြီးထွားမှုနှုန်းနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ တူညီမှုအကြား ချိန်ခွင်လျှာကို ကျော်လွှားရန် နောက်ထပ်သုတေသန လိုအပ်ပါသည်။ SiC/GaN ကဲ့သို့သော ကွဲပြားသောဖွဲ့စည်းပုံများတွင် 3C-SiC အသုံးချမှုနှင့်အတူ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ optoelectronic ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ကွမ်တမ်အချက်အလက်လုပ်ဆောင်ခြင်းကဲ့သို့သော စက်ပစ္စည်းအသစ်များတွင် ၎င်း၏အလားအလာရှိသောအသုံးချပရိုဂရမ်များကို စူးစမ်းလေ့လာပါ။

Vetek Semiconductor သည် 3C ကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။SiC အပေါ်ယံပိုင်းသန့်ရှင်းသောဂရပ်ဖိုက်နှင့် သန့်စင်မြင့်ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကဲ့သို့သော မတူညီသောထုတ်ကုန်များတွင်။ နှစ် 20 ကျော် R&D အတွေ့အကြုံဖြင့်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် အလွန်လိုက်ဖက်သောပစ္စည်းများဖြစ်သည့်အတွက် ရွေးချယ်ပါသည်။Epi ကို လက္ခံရင်၊, SiC epitaxial လက်ခံကိရိယာSi epi susceptor ပေါ်ရှိ GaN၊

သင့်တွင် စုံစမ်းမေးမြန်းမှုများ သို့မဟုတ် နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များ လိုအပ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် တုံ့ဆိုင်းမနေပါနှင့်။

Mob/WhatsAPP- +86-180 6922 0752

အီးမေးလ်- anny@veteksemi.com