VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံတွင် Crystal Growth ထုတ်လုပ်သူနှင့် တီထွင်သူအတွက် ထိပ်တန်း Tantalum Carbide Coated Tube တစ်ခုဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကြွေထည်အလွှာကို နှစ်ပေါင်းများစွာ အထူးပြုလုပ်ဆောင်နေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှုနှင့် အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်၏ရေရှည်လုပ်ဖော်ကိုင်ဖက်ဖြစ်လာရန် မျှော်လင့်ပါသည်။ တရုတ်မှာ။
VeTek Semiconductor မှ Crystal Growth အတွက် စိတ်ကြိုက် Tantalum Carbide Coated Tube ကို စိတ်ချယုံကြည်စွာ ဝယ်ယူနိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင်နှင့် ပူးပေါင်းလုပ်ဆောင်ရန် မျှော်လင့်ပါသည်၊ ပိုမိုသိရှိလိုပါက၊ သင်သည် ကျွန်ုပ်တို့ကို ယခုပင် တိုင်ပင်နိုင်သည်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်အား အချိန်မီ အကြောင်းပြန်ပေးပါမည်။
VeTek Semiconductor သည် Physical Vapor Transport (PVT) နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော Crystal Growth အတွက် Tantalum Carbide Coated Tube ကို ပေးပါသည်။ VeTek Semiconductor ၏ ဂရပ်ဖိုက်ပြွန်များသည် CVD တန်တလမ်ကာဘိုက်အလွှာဖြင့် သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားပြီး SiC crystal ကြီးထွားမှုတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကို အာမခံပါသည်။ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဟု လူသိများသော SiC crystals များသည် အမျိုးမျိုးသော အပလီကေးရှင်းများတွင် ကြီးမားသော အလားအလာကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ Crystal Growth အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ Tantalum Carbide Coated Tube ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ သုတေသီများနှင့် လုပ်ငန်းဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်ပညာရှင်များသည် SiC ကြီးထွားမှုကို ထိရောက်စွာ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး အရည်အသွေးမြင့် SiC crystal boule များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ သင်သည် သုတေသန သို့မဟုတ် စက်မှုထုတ်လုပ်မှုတွင် ပါဝင်သည်ဖြစ်စေ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် ထိရောက်သော SiC ပုံသဏ္ဍာန်ကြီးထွားမှုအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဖြေရှင်းနည်းများကို ပေးပါသည်။
TaC coated graphite tube အပြင်၊ VeTek Semiconductor သည် TaC coated rings၊ TaC coated crucible၊ TaC coated porous graphite၊ TaC coated graphite susceptor၊ TaC coated guide ring၊ TaC Tantalum Carbide coated plate၊ TaC Coating Ring၊ TaC coating TaC coated graphite၊ ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုအတွက် အောက်ပါကဲ့သို့ မီးဖိုများ၊
TaC coating ၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ | |
သိပ်သည်းမှု | 14.3 (g/cm³) |
တိကျသောထုတ်လွှတ်မှု | 0.3 |
အပူချဲ့ကိန်း | ၆.၃ ၁၀စာ-၆/K |
မာကျောမှု (HK) | 2000 HK |
ခုခံမှု | 1×10စာ-၅Ohm*cm |
အပူတည်ငြိမ်မှု | <2500 ℃ |
Graphite အရွယ်အစား ပြောင်းလဲခြင်း။ | -10~20um |
အပေါ်ယံအထူ | ≥20um ပုံမှန်တန်ဖိုး (35um±10um) |