TaC Coating Susceptor

VeTek Semiconductor သည် TaC Coating Susceptor ကို တင်ဆက်ထားပြီး၊ ၎င်း၏ထူးခြားသော TaC အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့်၊ ဤ susceptor သည် သမားရိုးကျဖြေရှင်းချက်များနှင့် လွဲ၍ အားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်ပါသည်။ လက်ရှိစနစ်များအတွင်းသို့ ချောမွေ့စွာပေါင်းစည်းခြင်းဖြင့် VeTek Semiconductor မှ TaC Coating Susceptor သည် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပြီး ထိရောက်သောလည်ပတ်မှုကို အာမခံပါသည်။ ၎င်း၏ယုံကြည်စိတ်ချရသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အရည်အသွေးမြင့် TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် SiC epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ထူးခြားသောရလဒ်များကို တသမတ်တည်း ပေးစွမ်းပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးရှိသော ထုတ်ကုန်များကို အပြိုင်အဆိုင်စျေးနှုန်းများဖြင့် ပေးအပ်သွားရန် ကတိပြုထားပြီး တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်မိတ်ဖက်ဖြစ်လာရန် မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

VeTek Semiconductor ၏ TaC coated susceptor နှင့် ring သည် LPE silicon carbide epitaxial growth reactor တွင် အတူအလုပ်လုပ်သည်-

High-Temperature Resistance- TaC coating susceptor သည် LPE ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ ပြင်းထန်သောအပူချိန် 1500°C အထိ ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူချိန်မြင့်မားသော ခုခံနိုင်စွမ်းရှိသည်။ ၎င်းသည် ရေရှည်လည်ပတ်စဉ်အတွင်း စက်ကိရိယာနှင့် အစိတ်အပိုင်းများ ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်းမဖြစ်စေရန် သေချာစေသည်။

ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု- TaC coating susceptor သည် အဆိပ်သင့်သော ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် အထူးကောင်းမွန်ပြီး ဓာတ်ပေါင်းဖိုအစိတ်အပိုင်းများကို အဆိပ်သင့်ဓာတုတိုက်ခိုက်မှုမှ ထိရောက်စွာကာကွယ်ကာ ၎င်းတို့၏ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။

Thermal Stability- TaC coating susceptor သည် ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ဓာတ်ပေါင်းဖိုရှိ အပူချိန်ကွင်းဆင်းမှု၏ တူညီမှုကိုသေချာစေရန်အတွက် မျက်နှာပြင်ရုပ်သွင်နှင့် ကြမ်းတမ်းမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးကာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial အလွှာများ၏ အရည်အသွေးမြင့်ကြီးထွားမှုအတွက် အကျိုးပြုသည်။

Anti-Contamination- ချောမွေ့သော TaC coated မျက်နှာပြင်နှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော TPD (Temperature Programmed Desorption) စွမ်းဆောင်ရည်သည် ဓာတ်ပေါင်းဖိုအတွင်းရှိ အမှုန်အမွှားများနှင့် အညစ်အကြေးများကို စုပ်ယူမှုကို လျှော့ချနိုင်ပြီး epitaxial အလွှာများ၏ ညစ်ညမ်းမှုကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။

အချုပ်အားဖြင့်၊ TaC coated susceptor နှင့် ring သည် LPE silicon carbide epitaxial growth reactor တွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး စက်ပစ္စည်းများ၏ ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုနှင့် epitaxial အလွှာများ၏ အရည်အသွေးမြင့် ကြီးထွားမှုကို အာမခံပါသည်။

TaC Coating Susceptor ၏ ထုတ်ကုန်ပါရာမီတာ-

TaC coating ၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ
သိပ်သည်းမှု	14.3 (g/cm³)
တိကျသောထုတ်လွှတ်မှု	0.3
အပူချဲ့ကိန်း	6.3 10-6/K
မာကျောမှု (HK)	2000 HK
ခုခံမှု	1×10-5 Ohm*cm
အပူတည်ငြိမ်မှု	<2500 ℃
Graphite အရွယ်အစား ပြောင်းလဲခြင်း။	-10~20um
အပေါ်ယံအထူ	≥20um ပုံမှန်တန်ဖိုး (35um±10um)