Silicon Carbide Shower Head ၊

VeTek Semiconductor သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ Silicon Carbide Shower Head ထုတ်ကုန်များကို ထိပ်တန်းထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။ SiC Shower Head သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှု၊ အပူစီးကူးမှုနှင့် ကောင်းမွန်သောဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုစွမ်းဆောင်ရည်၊ တူညီသောဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုကို ရရှိပြီး ရုပ်ရှင်အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ ၎င်းကို ဓာတုအငွေ့ပြန်သွင်းခြင်း (CVD) သို့မဟုတ် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD) လုပ်ငန်းစဉ်များကဲ့သို့သော မြင့်မားသောအပူချိန်လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသည်။ နောက်ထပ် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးမှုကို ကြိုဆိုပါတယ်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

VeTek Semiconductor Silicon Carbide Shower Head ကို အဓိကအားဖြင့် SiC နဲ့ ပြုလုပ်ထားပါတယ်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ဆောင်ခြင်းတွင်၊ Silicon Carbide Shower Head ၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာ ဓါတ်ငွေ့များကို အညီအမျှဖြန့်ဝေပေးသည့်အတောအတွင်း ယူနီဖောင်းဖလင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းခြင်းကိုသေချာစေရန်ဖြစ်သည်။ဓာတုအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD)သို့မဟုတ်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD)လုပ်ငန်းစဉ်များ။ SiC ၏ ကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည့် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုတို့ကြောင့် SiC Shower Head သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ထိရောက်စွာအလုပ်လုပ်နိုင်ပြီး ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုမညီမညာဖြစ်မှုကို လျှော့ချနိုင်သည်။အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ထို့ကြောင့် ဖလင်အလွှာ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပါ။

Silicon Carbide Shower Head သည် အလင်းဝင်ပေါက် တူညီသော နော်ဇယ်များစွာမှတဆင့် တုံ့ပြန်မှုဓာတ်ငွေ့များကို အညီအမျှ ဖြန့်ဝေပေးကာ တူညီသောဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုကို သေချာစေရန်၊ မြင့်မားလွန်းသော သို့မဟုတ် အလွန်နိမ့်သော ဒေသပါဝင်မှုကို ရှောင်ရှားနိုင်ပြီး ရုပ်ရှင်၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ အလွန်ကောင်းမွန်သောမြင့်မားသောအပူချိန်ခုခံမှုနှင့်ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့်အတူပေါင်းစပ်CVD SiCအမှုန်အမွှားများ သို့မဟုတ် ညစ်ညမ်းစေသော အရာများ မထွက်ရှိပါ။ရုပ်ရှင်ရိုက်ကူးမှု လုပ်ငန်းစဉ်ရုပ်ရှင်၏ အစစ်ခံမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် အရေးကြီးပါသည်။

ထို့အပြင် CVD SiC Shower Head ၏ နောက်ထပ်အားသာချက်တစ်ခုမှာ အပူပုံစံပြောင်းလဲခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (CVD) သို့မဟုတ် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့ထွက်ခြင်း (PVD) လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်များတွင်ပင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းနိုင်စေကြောင်း သေချာစေသည်။ တည်ငြိမ်မှုသည် မှားယွင်းမှု သို့မဟုတ် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းမှုအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေပြီး စက်တစ်ခုလုံး၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

တရုတ်နိုင်ငံ၏ ထိပ်တန်း Silicon Carbide Shower Head နှင့် ထုတ်လုပ်သူအဖြစ်၊ VeTek Semiconductor CVD Silicon Carbide Shower Head ၏ အကြီးမားဆုံးအားသာချက်မှာ စိတ်ကြိုက်ထုတ်ကုန်များနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်နိုင်မှုဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုအားသာချက်သည် မျက်နှာပြင်ပြင်ဆင်မှုအတွက် မတူညီသောဖောက်သည်များ၏ မတူညီသောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပါသည်။ အထူးသဖြင့်၊ ၎င်းသည် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ရင့်ကျက်သော ပြုပြင်ခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများကို သန့်စင်သောစိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ထို့အပြင်၊ VeTek Semiconductor Silicon Carbide Shower Head ၏ ချွေးပေါက်အတွင်းပိုင်းနံရံကို ပြင်းထန်သောအခြေအနေအောက်တွင် အလုံးစုံသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ CVD SiC Shower Head သည် အနိမ့်ဆုံး အလင်းဝင်ပေါက် 0.2 မီလီမီတာ ရရှိနိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဓာတ်ငွေ့ပေးပို့မှု တိကျမှုကို ရရှိပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း အကောင်းဆုံးသော ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုနှင့် ပါးလွှာသော ဖလင်စုဆောင်းမှုဆိုင်ရာ အကျိုးဆက်များကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။

SEM ဒေတာCVD SIC ရုပ်ရှင်အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ：

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD ၏အခြေခံရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ SiC Coating：

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
ပစ္စည်းဥစ္စာ	ရိုးရိုးတန်ဖိုး
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC beta အဆင့် polycrystalline, အဓိကအားဖြင့် (111) oriented
သိပ်သည်းမှု	3.21 g/cm³
မာကျောခြင်း။	2500 Vickers မာကျောမှု (500 ဂရမ်ဝန်)
သီးနှံ SiZe	2~10μm
ဓာတုသန့်စင်မှု	99.99995%
အပူစွမ်းရည်	640 J·kg^စာ-၁·K^စာ-၁
Sublimation အပူချိန်	2700 ℃
Flexural Strength	415 MPa RT 4 ပွိုင့်
Young's Modulus	430 Gpa 4pt ကွေး၊ 1300 ℃
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	300W·m^စာ-၁·K^စာ-၁
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း(CTE)	4.5×10^စာ-၆K^စာ-၁