SiC Coating စုဆောင်းရေးစင်တာ

VeTek Semiconductor SiC Coating Coating Collector Center သည် Semiconducor EPI လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းသည် epitaxial တုံ့ပြန်မှုအခန်းတွင် ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့် ထိန်းချုပ်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည့် အဓိကအစိတ်အပိုင်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံရှိ SiC coating နှင့် TaC coating အကြောင်း ကျွန်ုပ်တို့အား စုံစမ်းမေးမြန်းရန် ကြိုဆိုပါသည်။

SiC Coating Coating Collector Center ၏ အခန်းကဏ္ဍမှာ အောက်ပါအတိုင်း ဖြစ်ပါသည်။

ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးရေး- SiC Coating Coating Collector Center ကို epitaxial တုံ့ပြန်မှုအခန်းသို့ မတူညီသောဓာတ်ငွေ့များ မိတ်ဆက်ရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းတွင် သီးခြား epitaxial ကြီးထွားမှုလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးရန်အတွက် မတူညီသောဓာတ်ငွေ့များကို အလိုရှိသောနေရာများသို့ ဖြန့်ဝေပေးနိုင်သည့် အပေါက်များနှင့် ပလပ်ပေါက်များစွာရှိသည်။

ဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်မှု- SiC Coating Collector Center သည် valves များနှင့် flow control devices များမှတဆင့် ဓာတ်ငွေ့တစ်ခုစီကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်သည် ။ ဤတိကျသောဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်မှုသည်အလိုရှိသောဓာတ်ငွေ့အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့်စီးဆင်းမှုနှုန်းကိုရရှိရန် epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အောင်မြင်မှုအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပြီးရုပ်ရှင်၏အရည်အသွေးနှင့်ညီညွတ်မှုကိုသေချာစေသည်။

တူညီမှု- ဗဟိုဓာတ်ငွေ့စုဆောင်းကွင်း၏ ဒီဇိုင်းနှင့် အပြင်အဆင်သည် ဓာတ်ငွေ့များ တစ်ပြေးညီ ဖြန့်ဖြူးရရှိစေရန် ကူညီပေးသည်။ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုလမ်းကြောင်းနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုမုဒ်မှတစ်ဆင့်၊ ဖလင်၏ ညီညီညာညာ ကြီးထွားမှုရရှိစေရန်အတွက် ဓာတ်ငွေ့ကို epitaxial တုံ့ပြန်မှုအခန်းတွင် အညီအမျှ ရောစပ်ထားသည်။

epitaxial ထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ SiC Coating Collector Center သည် ရုပ်ရှင်၏ အရည်အသွေး၊ အထူနှင့် တူညီမှုတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ သင့်လျော်သောဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့်ထိန်းချုပ်ခြင်းမှတဆင့်၊ SiC Coating Coating Collector Center သည် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ရုပ်ရှင်များရရှိရန်အတွက် epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်၏တည်ငြိမ်မှုနှင့်ညီညွတ်မှုကိုသေချာစေနိုင်သည်။

ဂရပ်ဖိုက်စုဆောင်းစင်တာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC Coated Collector Center သည် အပူစီးကူးနိုင်မှု၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဓာတုဓာတ်အားဖြည့်တင်းမှုနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာသည် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်း၏ အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်ကို သိသာထင်ရှားစွာ တိုးမြှင့်စေပြီး အပူချိန်တူညီမှုနှင့် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တသမတ်တည်း ဖလင်ကြီးထွားမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ coating သည် chemical corrosion ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ ဓာတုဗေဒ အားနည်းမှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်တို့ကို ပေးစွမ်းပြီး epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုနှင့် အရည်အသွေးမြင့် ဖလင်ကြီးထွားမှုကို အာမခံသည်။

CVD SiC coating ၏ အခြေခံ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ

စက်မှုကွင်းဆက်-

ထုတ်လုပ်ရေးဆိုင်