2024-08-22
Tantalum carbide (TaC) ကြွေထည်ပစ္စည်းသည် အရည်ပျော်မှတ် 3880 ℃အထိရှိပြီး အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားပြီး ဓာတုတည်ငြိမ်ကောင်းမွန်သော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ဓာတုချေးစားမှုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ကာဗွန်ပစ္စည်းများနှင့် ကောင်းမွန်သောဓာတုဗေဒနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လိုက်ဖက်မှုရှိသောကြောင့် ၎င်းသည် စံပြဂရပ်ဖိုက်အလွှာအကာအကွယ်အလွှာတစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးထားသည်။
Tantalum carbide coating သည် ပူပြင်းသော အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ ဆီလီကွန်အငွေ့နှင့် သွန်းသောသတ္တုတို့၏ သက်ရောက်မှုများမှ ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများကို ထိရောက်စွာ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်အစိတ်အပိုင်းများ၏ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာ တိုးမြှင့်ပေးပြီး ဂရပ်ဖိုက်တွင် အညစ်အကြေးများ ရွှေ့ပြောင်းခြင်းကို တားဆီးပေးကာ အရည်အသွေးကို သေချာစေပါသည်။epitaxialနှင့်crystal ကြီးထွားမှု.
ပုံ 1. အသုံးများသော Tantalum Carbide Coated Components
Chemical vapor deposition (CVD) သည် ဂရပ်ဖိုက်မျက်နှာပြင်များပေါ်တွင် TaC coatings ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရင့်ကျက်ဆုံးနှင့် အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။
TaCl5 နှင့် Propylene ကို ကာဗွန်နှင့် တန်တလမ်ရင်းမြစ်များအဖြစ် အသီးသီးအသုံးပြုကာ သယ်ဆောင်သည့်ဓာတ်ငွေ့အဖြစ် အာဂွန်ကို အသုံးပြု၍ အပူချိန်မြင့်သော အငွေ့ပြန်ထားသော TaCl5 အငွေ့ကို တုံ့ပြန်မှုခန်းထဲသို့ မိတ်ဆက်ပေးသည်။ ပစ်မှတ် အပူချိန်နှင့် ဖိအားတွင်၊ ရှေ့ပြေးပစ္စည်းမှ အငွေ့သည် ဂရပ်ဖိုက်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပ်ယူနိုင်ပြီး ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်နှင့် တန်တလမ်ရင်းမြစ်များ ပေါင်းစပ်ခြင်းကဲ့သို့သော ရှုပ်ထွေးသော ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများနှင့် ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် စုပ်ယူခြင်းကဲ့သို့သော မျက်နှာပြင်တုံ့ပြန်မှု စီးရီးများ ပါဝင်သည်။ ရှေ့ပြေးနိမိတ်များ။ နောက်ဆုံးတွင်၊ လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများအောက်တွင် တည်ငြိမ်သောတည်ရှိမှုမှကာကွယ်ပေးသည့်ဂရပ်ဖိုက်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်သိပ်သည်းသောအကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းပြီးဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများ၏အသုံးချမှုအခြေအနေများကိုသိသိသာသာချဲ့ထွင်စေသည်။
ပုံ ၂။Chemical vapor deposition (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်နိယာမ
VeTek Semiconductortantalum carbide ထုတ်ကုန်များကို အဓိကအားဖြင့် ပံ့ပိုးပေးသည်- TaC လမ်းညွှန်လက်စွပ်၊ TaC coated ပွင့်ချပ်သုံးလက်စွပ်၊ TaC coating crucible၊ TaC coating porous graphite ကို တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်မှာ SiC crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်၊ TaC Coated ဖြင့် Porous Graphite၊ TaC Coated Guide Ring၊ TaC Coated Graphite Wafer Carrier၊ TaC coating susceptors ၊ planetary susceptor ၊ TaC coated satellite susceptor နှင့် အဆိုပါ tantalum carbide coating ထုတ်ကုန်များကို တွင်တွင်ကျယ်ကျယ် အသုံးပြုပါသည်။SiC epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်နှင့်SiC Single Crystal Growth လုပ်ငန်းစဉ်.
ပုံ ၃။VeTek Semiconductor ၏ လူကြိုက်အများဆုံး Tantalum Carbide Coating ထုတ်ကုန်များ