ဆီလီကွန် epitaxy ၏လက္ခဏာများ

ဆီလီကွန် epitaxy ၏ထူးခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

မြင့်မားသော သန့်စင်မှု- ဓာတုအခိုးအငွေ့များ စုဆောင်းခြင်း (CVD) ဖြင့် ပေါက်ရောက်သော ဆီလီကွန် epitaxial အလွှာသည် အလွန်သန့်ရှင်းမှု၊ မျက်နှာပြင် ချောမွေ့မှုနှင့် ရိုးရာ wafers များထက် ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းမှု နည်းပါးသည်။

ပါးလွှာသောဖလင်များ တူညီမှု- ဆီလီကွန် epitaxy သည် အာမခံချက်ရှိသော ကြီးထွားနှုန်းတစ်ခုအောက်တွင် အလွန်တူညီသော ပါးလွှာသော ဖလင်ကို ဖန်တီးနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အပူ၏တူညီမှုကိုရရှိစေပြီး crystal structure ချို့ယွင်းချက်များကိုလျှော့ချပြီး crystal ၏အရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေသည်။

ခိုင်ခံ့စွာထိန်းချုပ်နိုင်မှု- Silicon epitaxy နည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများ၏ ပုံသဏ္ဍာန်၊ အရွယ်အစားနှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး အလွှာပေါင်းများစွာ ရောယှက်မှုများကဲ့သို့သော ရှုပ်ထွေးသောပုံဆောင်ခဲများကို ကြီးထွားစေနိုင်သည်။

ကြီးမားသော wafer အချင်း- Silicon epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာသည် ကြီးမားသော အချင်းများဖြင့် ဆီလီကွန် wafer များကို ကြီးထွားစေပြီး ကြီးမားသော အချင်းဆီလီကွန် wafers များထုတ်လုပ်နိုင်မှုသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

လုပ်ငန်းစဉ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- ဆီလီကွန် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကို အကြိမ်များစွာ ပြန်သုံးနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။